Comptek Solutions解决了化合物半导体器件如激光器及微LED工艺中的氧化问题,可显著降低制造成本。

我们的前沿量子技术KontroxTM是专为III-V族化合物半导体材料设计的新型钝化技术, 能促进材料表面晶体氧化物重构,显著降低晶体结构表面缺陷态密度且维持高度热力学稳定性。该技术可简化制造工艺并促进化合物半导体器件性能提升,已证明能将微LED器件效率提高至250%.

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较之已有方法,新技术

将界面缺陷态密度减少

了98%。

采用Kontrox可形成低能量表面结构,具备热力学稳定性及低缺陷态密度。该技术构建了III-V族化合物半导体材料理论与实际之间的桥梁,能有效避免制造工艺进程中的材料氧化,降低缺陷导致的风险,提高制造成品率。

Kontrox广泛应用于化合物半导体材料领域,涉及光电子、功率电子及射频应用。

III-V passivation - defected interface

III-V族材料表面扫描隧道显微镜图像:天然氧化物层,及采用Comptek Solutions公司的Kontrox技术形成的晶体氧化物重构。

III-V passivation crystallin  oxide
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初始样品

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微LED新技术Kontrox

目前有多种因素阻碍微LED量产。低电流密度和不同芯片间辐射水平差异可显著影响芯片边墙质量,导致严重的表面复合效应。该效应的负面影响随芯片尺寸减小而更加明显。

采用Kontrox可生产高质量、低缺陷态密度的钝化层,大大提高微LED器件效率。

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Kontrox提高了最大亮度水平及功率效率。

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µLED显示器

使下一代成为可能 

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