白皮书:

µLED显示器
使下一代成为可能 

芯片侧壁上由氧化引起的缺陷是目前要实现高质量、高产量 µLED 显示器的关键挑战。µLED 台面侧壁上的劣质氧化物和相关的无序引起的原子级缺陷是 SRH 型非辐射复合和漏电流的最大来源。 由此导致器件光输出减少。 此外,随着芯片尺寸的减小,电流密度函数-LED 效率大幅降低。

了解问题背后的科学原理以及将“终极显示器”从概念变为现实的突破性解决方案。

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